利用壓控振蕩器來控制頻率
　　高頻壓控振蕩器的電壓控制頻率部份, 通常是用變?nèi)荻O管C 與電感 L, 所接成的 LC 諧振電路。提高變?nèi)荻O管的逆向偏壓, 二極管內(nèi)的空泛區(qū)會加大, 兩導體面之距離一變長, 電容就降低了, 此 LC 電路的諧振頻率, 就會被提高. 反之, 降低逆向偏壓時, 二極管內(nèi)的電容變大, 頻率就會降低.
　　而低頻壓控振蕩器則依照不同頻率而選擇不同的方法，例如以改變對電容的充電速率為手段來得到一個電壓控制的電流源。參見波型產(chǎn)生器。
電壓控制的晶振器
　　一個“壓控石英振蕩器（voltage-controlled crystal oscillator, VCXO）”通常被使用在下列場合：當頻率需要在小范圍內(nèi)的調(diào)整時、當正確的頻率或相位對于振蕩器而言是十分重要時、利用不同電壓來當作控制源的振蕩器、用來分散在某個頻率范圍內(nèi)的干擾使該頻段不受到太大的影響。壓控石英振蕩器的典型頻率變化在數(shù)十個 ppm 之間，這是因為高品質(zhì)系數(shù)（Quality Factor, or Q Factor）的石英振蕩器只會產(chǎn)生少量的頻率范圍位移。
　　當射頻電路發(fā)射（transmitter）電波時會有熱量產(chǎn)生而發(fā)生頻率漂移，而使得“溫度補償壓控石英振蕩（temperature-compensated VCXO, TCVCXO)”被廣泛的使用，因為 TCVCXO 不會受到溫度的影響而改變其壓電特性。